スマートフォンやタブレット端末、そしてSSDなどの記録容量を飛躍的に引き上げる新型フラッシュメモリが開発されました。
Samsung Starts Mass Producing Industry’s First 3D Vertical NAND Flash | Samsung Semiconductor
Samsungのプレスリリースによると、同社は新たに3次元構造を採用したNANDフラッシュメモリ「3D V-NAND」の量産を開始したことを告知しています。
フラッシュメモリの容量を増やすためには製造プロセスの微細化が必要ですが、すでに10nmクラスにまで微細化が進んでおり、これ以上はセル同士が干渉を起こす、物理的な限界に突き当たるとされていますが、Samsungは独自の「CTFアーキテクチャ」を刷新し、フラッシュメモリを三次元的に配置。
これにより128Gb（16GB）のシングルチップを最大24層重ねることができるようになり、384GBの超大容量を実現するほか、フラッシュメモリの信頼性を2～10倍にまで引き上げるとされています。
すでに量産が開始されているということもあって期待せざるを得ない今回の発表。大容量モデルが64GBで横並びとなっているスマートフォンですが、100GBを超える機種が登場するのもそう遠くはないようです。
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