IntelとMicronが今までより1000倍高速なフラッシュメモリを開発し、すでに生産に踏み出したことを発表しました。詳細は以下から。
Intelのプレスリリースによると、同社はNANDフラッシュメモリが導入された1989年以来、初のブレイクスルーとなるメモリプロセス技術「3D XPoint」を採用したフラッシュメモリの生産を開始したそうです。
同技術は現時点で発売されているすべてのフラッシュメモリに対し、性能、実装密度、消費電力、非揮発性、製造コストの面での利点を実現するもので、NANDフラッシュメモリの1000倍高速なだけでなく、1000倍以上の耐久性を備え、10倍高密度に。
これにより金融取引における不正をいち早く検出する、遺伝子解析や疾患の追跡などの複雑なタスクを高速化するなど、リアルタイムに膨大なデータを処理・分析することが可能になるとしています。
これが3D XPoint技術で製造されたフラッシュメモリ。ダイ1つに128Gb（16GB）のデータを保存できます。
現在生産中の3D XPointウエハはこんな感じ。今年後半に一部顧客に対してサンプル出荷を開始する予定で、IntelとMicronは同技術に基づき、それぞれ製品を開発していくとしています。
Intel and Micron Produce Breakthrough Memory Technology
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