先ほど5波キャリアアグリゲーションを使った下り最大1.2Gbpsの超高速LTEに対応した「Snapdragon 845」が発表されましたが、その通信速度を十分に生かせるストレージが開発されました。
なかなか進化を遂げてこなかったスマホのストレージですが、いよいよ500GBを超えることになります。詳細は以下から。
Samsungのプレスリリースによると、同社は64層512Gb V-NANDチップを8層重ねたことで512GBの記録容量を実現したユニバーサルフラッシュストレージ「eUFS」の量産を開始したそうです。
これはフラッグシップスマホやタブレットに向けたモデルで、従来提供してきた48層V-NANDを使った256eUFSと同じ体積で密度を倍増できたとのこと。
読み込みは毎秒最大860MB、書き込みは毎秒最大255MBと高速で、5GBのフルHD動画を約6秒で転送可能。高解像度バースト撮影やデュアルビデオ再生など、今までにないシームレスなマルチメディア体験を利用できるとされています。
さらにランダム読み込み42000IOPS、ランダム書き込み40000IOPSを実現しており、microSDXCカードを利用した際に発生する「潜在的なシステム性能の限界（＝microSDXCカードが性能のボトルネックになること）」を克服できます。
なお、Samsungは今後64層512Gb V-NANDチップを積極的に増産する方針。より少ない体積で大容量のストレージを実現できるため、スマホ全体のストレージ容量の底上げも期待できそうです。