海外企業への技術流出が叫ばれて久しい昨今ですが、ついに技術者が逮捕される事態となりました。
東芝技術海外流出で逮捕状…提携先元技術者に : 社会 : YOMIURI ONLINE（読売新聞）
読売新聞社の報道によると、SSDやSDメモリカード、スマートフォンなどの各種製品のストレージとして採用されている「NAND型フラッシュメモリ」の最新技術を流出させたとして、福岡県在住の50代の男に対し、不正競争防止法違反（営業秘密開示）容疑で逮捕状が取られたそうです。
これは東芝とフラッシュメモリー製造事業で提携する半導体メーカーの社員だった男が、東芝のフラッシュメモリ開発拠点である三重県の「四日市工場」で、営業秘密にあたるメモリーの大容量化に必要な最新の研究データをコピーし、転職先の韓国半導体大手「SKハイニックス」に提供したという疑いによるもの。
なお、東芝は世界で初めてフラッシュメモリを開発した企業であるほか、同社の四日市工場はメモリカード世界シェア1位のサンディスクと共同で運営されており、最先端の研究開発拠点という位置付け。最先端情報技術の海外不正流出が刑事事件に発展するのは初めてで、近く強制捜査に乗り出すとされています。