サンディスク・東芝連合が世界初となる15nmプロセスを用いたフラッシュメモリ製品を開発しました。
サンディスクのプレスリリースによると、現地時間の2014年4月22日に世界初となる15ナノメートル（nm）プロセス技術に基づく「1Z世代」のフラッシュメモリ製品の出荷を開始したそうです。
一般的に半導体製品は製造プロセスが微細化すればするほどチップのサイズが小さくなり、1枚のシリコンウエハから製造できる数が増えるため、製造コストが下がるほか、消費電力なども低減可能。つまり多くのユーザーが待ち望んでいるであろう、「安価で大容量のSSD」などが実現しやすくなるわけです。
また、同社のメモリーテクノロジー担当シニアバイスプレジデント、シバ・シバラム氏は「業界最先端のフラッシュメモリープロセスを更に向上することで、世界最小かつコスト効率の高い128ギガビットチップを提供できることを嬉しく思います。新プロセスにより、サンディスクのNANDフラッシュソリューションのポートフォリオを更に拡張し、差別化していくことができます」とコメント。
1Zテクノロジーは2ビットセル(X2)と3ビットセル(X3)両方で提供され、メモリーカードからエンタープライズ向けSSDまでの幅広い製品群に採用。量産は2014年後半を予定しているとされています。
東芝：プレスリリース (2014-04-23)：世界初、１５nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの量産について
なお、東芝のプレスリリースによると、同社の15nmプロセスを採用したフラッシュメモリは高速インタフェース仕様の採用により、1.3倍の速さとなる533Mbpsを実現しています。